SK Hynix成功开发128GB DDR4内存模块

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    据外国媒体报道，4月7日，SK Hynix正式对外宣布，该公司已经成功研制出业界最大容量的DDR4内存模块，模块容量高达128GB，该产品预定于2015年上半年量产。

    据介绍，上述内存模块采用TSV（硅通孔）技术，以使得单个20nm制程的内存芯片实现8Gbit容量，其容量为现行产品的两倍。

    规格方面，新型内存模块的主频为2133MHz，64bit接口，带宽为17GB/sec，驱动电压为1.2V。