三星开始量产20nm制程4Gbit DDR3 DRAM芯片

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    据日本媒体报道，近日，三星公司正式对外宣布，该公司已经开始量产20nm制程4Gbit DDR3 DRAM芯片。

    据介绍，通过升级4Gbit DDR3 DRAM的制造工艺至20nm，生产效率较25nm制程时提高30%，而较30nm制程时提高至2倍。不但如此，效能方面，产品的耗电较25nm产品降低25%。

    通过升级制造工艺，相信三星公司会为消费者提供性能更好的DRAM产品。

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